Fotorezistiň umumy syny
Fotorezist, şeýle hem fotorezist diýlip atlandyrylýar, UV şöhlesine, elektron şöhlelerine, ion şöhlelerine, rentgen şöhlelerine ýa-da başga şöhlelenmelere sezewar edilende ereýänligi üýtgeýän inçe plýonka materialyny aňladýar.
Ol smoladan, fotoinisiatordan, erijiden, monomerden we beýleki goşundylardan ybarat (1-nji tablisa serediň). Fotorezist smolasy we fotoinisiator fotorezistiň işine täsir edýän iň möhüm komponentlerdir. Ol fotolitografiýa prosesinde korroziýa garşy örtük hökmünde ulanylýar.
Ýarymgeçiriji ýüzleri işläp bejerilende, degişli selektiw fotorezist ulanmak ýüzde islenýän şekili döredip biler.
1-nji tablisa.
| Fotorezist maddalary | Öndürijilik |
| Eritiji | Ol fotorezisti suwuk we uçujy edýär we fotorezistiň himiki häsiýetlerine diýen ýaly täsir etmeýär. |
| Fotoinitiator | Ol fotosensibilizator ýa-da fotoserişde agenti hökmünde hem bellidir, fotorezist materialyndaky fotosensibil komponentdir. Ol belli bir tolkun uzynlygyndaky ultramelewşe ýa-da görünýän ýagtylyk energiýasyny siňdirenden soň, erkin radikallara ýa-da kationlara bölünip, monomerlerde himiki özara baglanyşyk reaksiýalaryny başlap bilýän birleşmäniň bir görnüşidir. |
| Smetana | Ol inert polimerlerdir we fotorezistdäki dürli materiallary bilelikde saklamak üçin baglaýjy hökmünde hereket edýär we fotorezistiň mehaniki we himiki häsiýetlerini berýär. |
| Monomer | Ol şeýle hem işjeň eredijiler hökmünde bellidir, polimerleşýän funksional toparlary öz içine alýan kiçi molekulalardyr we ýokary molekulýar agramly smolalary emele getirmek üçin polimerleşme reaksiýalaryna gatnaşyp bilýän pes molekulýar agramly birleşmelerdir. |
| Goşundy | Ol fotorezistleriň aýratyn himiki häsiýetlerini gözegçilikde saklamak üçin ulanylýar. |
Fotorezistler emele getirýän şekillerine esaslanyp iki esasy kategoriýa bölünýär: pozitiw we negatiw. Fotorezist prosesiniň dowamynda, täsir we ösüşden soň, örtügiň açyk bölekleri ereýär we täsir edilmedik bölekleri galýar. Bu örtük pozitiw fotorezist hasaplanýar. Eger täsir edilmedik bölekler ereýänçä açyk bölekler galsa, örtük negatiw fotorezist hasaplanýar. Ekspozisiýa ýagtylyk çeşmesine we radiasiýa çeşmesine baglylykda, fotorezistler has köp UB (oňyn we negatiw UB fotorezistlerini goşmak bilen), çuňňur UB (DUV) fotorezistleri, rentgen fotorezistleri, elektron şöhle fotorezistleri we ion şöhle fotorezistleri hökmünde kategoriýalaşdyrylýar.
Fotorezist, esasan, displeý panellerinde, integral mikrosxemalarda we diskret ýarymgeçiriji enjamlarda inçe däneli nagyşlary gaýtadan işlemekde ulanylýar. Fotorezistiň önümçilik tehnologiýasy çylşyrymly bolup, dürli önüm görnüşlerine we tehniki aýratynlyklaryna eýedir. Elektronika senagatynyň integral mikrosxemalaryny öndürmek ulanylýan fotorezist üçin berk talaplary goýýar.
Fotosergitlenip bilýän smolalaryň önümçiliginde we işlenip düzülmeginde 20 ýyllyk tejribesi bolan önüm öndüriji “Ever Ray” kompaniýasynyň ýyllyk önümçilik kuwwaty 20,000 tonna, toplumlaýyn önüm liniýasy we önümleri öz islegiňize görä sazlamak mümkinçiligi bar. “Ever Ray” fotorezistde esasy bölek hökmünde 17501 smolasyny ulanýar.
